Институт физики микроструктур РАН опубликовал амбициозную дорожную карту развития отечественных систем экстремальной ультрафиолетовой (EUV) литографии на длине волны 11.2 нм. Проект охватывает период с 2026 по 2037 год и предусматривает переход от 40-нанометрового техпроцеса к производству чипов менее 10 нм. Главная особенность — полный отказ от архитектуры голландской ASML в пользу собственных технологических решений.
Российские инженеры предлагают кардинально иной подход: гибридные твердотельные лазеры, источники света на основе ксеноновой плазмы и зеркала из рутения и бериллия (Ru/Be). Использование ксенона вместо оловянных капель, применяемых в системах ASML, должно решить проблему загрязнения фотошаблонов — основную головную боль современной EUV-литографии. Это существенно снижает затраты на обслуживание оборудования.
Первый этап (2026-2028 годы) предполагает создание системы для 40-нм техпроцесса с двухзеркальной оптикой, точностью совмещения 10 нм и производительностью свыше 5 пластин в час. Второй этап (2029-2032) — сканер для 28 нм (с потенциалом 14 нм) с четырехзеркальной системой, точностью 5 нм и производительностью более 50 пластин в час. Финальная система (2033-2036) нацелена на субнанометровое производство менее 10 нм с шестизеркальной конфигурацией и производительностью свыше 100 пластин в час.
Однако разработчики умалчивают о сложностях использования нестандартной для индустрии длины волны 11.2 нм. Это потребует создания специальных зеркал, инструментов для их полировки, оптики, источников света и блоков питания — фактически всей экосистемы с нуля. Если план будет реализован, российские системы могут стать альтернативой для небольших производств, исключенных из экосистемы ASML, благодаря значительно более низким капитальным и операционными затратам.
Источник новости и обложки: www.tomshardware.com