Исследователи из Университета науки и технологий имени короля Абдаллы (KAUST) в Саудовской Аравии установили новый мировой рекорд в области микроэлектроники, создав первый шестислойный гибридный CMOS-чип для крупногабаритной электроники. До этого ни одна исследовательская группа не смогла превысить планку в два слоя, что делает достижение настоящим прорывом в области интеграции транзисторов.
CMOS-микросхемы присутствуют практически во всей современной электронике — от смартфонов и телевизоров до спутников и медицинских устройств. Однако традиционный подход к миниатюризации через уменьшение размеров транзисторов достигает квантово-механических пределов, а стоимость разработки растет в геометрической прогрессии. Вертикальная укладка транзисторов становится единственным способом продолжить развитие индустрии.
Главная проблема многослойных чипов заключается в высокотемпературном производстве — стандартная технология требует нескольких сотен градусов Цельсия, что повреждает нижние слои при добавлении новых. Команда KAUST решила эту задачу, снизив максимальную температуру процесса до 150°C, а большинство операций выполняется при почти комнатной температуре.
«В микроэлектронике все сводится к тому, чтобы упаковать больше мощности в меньшее пространство. Усовершенствовав множество этапов производства, мы предоставляем план для вертикального масштабирования и увеличения функциональной плотности далеко за пределы сегодняшних возможностей», — объясняет постдокторант Саравана Ювараджа, ведущий автор исследования. Разработка открывает новые возможности для гибкой электроники, умных медицинских устройств и интернета вещей.
Источник новости и обложки: www.eurekalert.org