Исследователи из MIT разработали революционный магнитный транзистор, который может в 10 раз эффективнее управлять электрическим током по сравнению с существующими магнитными аналогами. Вместо традиционного кремния ученые использовали магнитный полупроводник — бромид хрома и серы, что открывает путь к созданию более компактных и энергоэффективных электронных устройств.
Главная проблема кремниевых транзисторов заключается в фундаментальном физическом ограничении — они не могут работать ниже определенного напряжения, что снижает их энергоэффективность. Новый материал толщиной всего в несколько десятков нанометров позволяет переключаться между двумя магнитными состояниями очень четко, обеспечивая плавное переключение между состояниями «включено» и «выключено».
Особенность разработки заключается в том, что большинство существующих магнитных транзисторов могут изменять поток тока лишь на несколько процентов или меньше. Новый транзистор MIT демонстрирует кардинально иной уровень производительности, переключая или усиливая электрический ток с коэффициентом 10, используя при этом значительно меньше энергии.
Магнитные свойства материала позволяют создавать транзисторы со встроенной памятью, что существенно упрощает схемотехнику. Вместо традиционной схемы с отдельной магнитной ячейкой для хранения информации и транзистором для ее считывания, новый подход объединяет обе функции в одном магнитном транзисторе. Это обеспечивает более сильный сигнал, быстрое считывание информации и повышенную надежность работы.
Источник новости и обложки: www.technology.org